KC-3105

现代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战。与 HTRB高温偏置试验一 一对应，AQG324 该规定了动态偏置试验，即动态高温反偏（DHRB，Dynamic high-temperature reverse bias）

KC3111

设备简介KC3111功率半导体高精度静态特性测试系统（面向工厂生产端），基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。脉冲信号源输出方面，高压源标配2000V（选配3.5KV）,高...

KC3120

设备简介KC3120功率半导体动态参数测试系统可针对各类型 GaN、Si基及SiC基二极管、 MOSFET、IGBT 等分立器件的各项动态参数测试，如开通时间、关断时间、上升时间、下降时间、导通延迟时间、关断延迟时间、开通损耗、...

KC3110

设备简介KC3110功率半导体高精度静态特性测试系统，基于全新三代半SiC, GaN器件和模块以及车规级模块的新兴要求而进行的一次高标准产品开发。本系统可以在3KV和1000/2000A的条件下实现精确测量和参数分析，漏电流测试...

KC3106

IGCT（IntergratedGateCommutatedThyristors）是在晶闸管技术的基础上结合IGBT和GTO等技术开发的新型器件，适用于高压大容量变频系统中，是一种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。

KC3130

现代宽禁带功率器件 (SiC, GaN) 上的开关晶体管速度越来越快，使得测量和表征成为相当大的挑战。汽车功率模块测试标准AQG 324特别突出了功率循环试验，在整个SiC-MOSFET寿命试验相关内容中，功率循环试验不仅被列为首...